Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJQ184ER-T1_GE3
SQJQ184ER-T1_GE3

SQJQ184ER-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqjq184er.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16009 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+241.13 грн
10+ 194.82 грн
100+ 157.62 грн
500+ 131.48 грн
1000+ 112.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJQ184ER-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 600W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16009 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJQ184ER-T1_GE3 за ціною від 143.55 грн до 264.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJQ184ER-T1_GE3 SQJQ184ER-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqjq184er.pdf MOSFET
на замовлення 5676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+264.09 грн
10+ 219.05 грн
25+ 179.43 грн
100+ 158.04 грн
2000+ 147 грн
4000+ 143.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQJQ184ER-T1_GE3 SQJQ184ER-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqjq184er.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16009 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній