Продукція > VISHAY SILICONIX > SQM120N04-1m7L_GE3
SQM120N04-1m7L_GE3

SQM120N04-1m7L_GE3 Vishay Siliconix

sqm120n0.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14606 pF @ 20 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+131.65 грн
1600+ 108.55 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQM120N04-1m7L_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14606 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SQM120N04-1m7L_GE3 за ціною від 105.48 грн до 239.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQM120N04-1m7L_GE3 SQM120N04-1m7L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm120n0.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14606 pF @ 20 V
на замовлення 2298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+218.1 грн
10+ 176.29 грн
100+ 142.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQM120N04-1m7L_GE3 SQM120N04-1m7L_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqm120n0.pdf MOSFET 40V 120A 375W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 9235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+239.12 грн
10+ 198.08 грн
25+ 162.23 грн
100+ 138.86 грн
250+ 130.85 грн
500+ 123.51 грн
800+ 105.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQM120N04-1M7L_GE3 SQM120N04-1M7L_GE3 Виробник : Vishay sqm120n0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263
товар відсутній
SQM120N04-1M7L-GE3 Виробник : Vishay sqm120n0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263
товар відсутній
SQM120N04-1M7L-GE3 SQM120N04-1M7L-GE3 Виробник : Vishay sqm120n0.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Automotive AEC-Q101
товар відсутній
SQM120N04-1M7L-GE3 SQM120N04-1M7L-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT SQM120N041M7LGE
товар відсутній