Продукція > VISHAY > SQM40022E_GE3
SQM40022E_GE3

SQM40022E_GE3 VISHAY

2687557.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40022E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00133 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00133ohm
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+66.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQM40022E_GE3 VISHAY

Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQM40022E_GE3 за ціною від 52.48 грн до 129.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQM40022E_GE3 SQM40022E_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm40022e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+72.25 грн
Мінімальне замовлення: 800
SQM40022E_GE3 SQM40022E_GE3 Виробник : Vishay sqm40022e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+94.95 грн
10+ 86.28 грн
25+ 85.41 грн
50+ 81.54 грн
100+ 68.24 грн
250+ 63.41 грн
500+ 54.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQM40022E_GE3 SQM40022E_GE3 Виробник : Vishay sqm40022e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
114+102.25 грн
126+ 92.91 грн
127+ 91.98 грн
128+ 87.81 грн
142+ 73.49 грн
250+ 68.28 грн
500+ 58.35 грн
Мінімальне замовлення: 114
SQM40022E_GE3 SQM40022E_GE3 Виробник : VISHAY 2687557.pdf Description: VISHAY - SQM40022E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00133 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00133ohm
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+122.21 грн
10+ 91.65 грн
100+ 66.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQM40022E_GE3 SQM40022E_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqm40022e.pdf MOSFET 40V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+124.77 грн
10+ 103.89 грн
100+ 75.06 грн
250+ 71.74 грн
500+ 61.44 грн
800+ 54.2 грн
4800+ 52.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQM40022E_GE3 SQM40022E_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm40022e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+129.34 грн
10+ 103.31 грн
100+ 82.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQM40022E_GE3 SQM40022E_GE3 Виробник : Vishay sqm40022e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
SQM40022E_GE3 SQM40022E_GE3 Виробник : Vishay sqm40022e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній