SQM40031EL_GE3 Vishay
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 162.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQM40031EL_GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 800 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39000 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQM40031EL_GE3 за ціною від 86.35 грн до 218.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQM40031EL_GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQM40031EL_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET P Ch -40V Vds AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 26841 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQM40031EL_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQM40031EL_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQM40031EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0025 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm |
на замовлення 3856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQM40031EL_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SQM40031EL_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SQM40031EL_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 800 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39000 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SQM40031EL_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 800 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39000 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |