на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J328R,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM3J328R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0249 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-23F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0249ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0249ohm.
Інші пропозиції SSM3J328R,LF(T за ціною від 3.98 грн до 30.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM3J328R,LF(T | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SSM3J328R,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SSM3J328R,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SSM3J328R,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J328R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0249 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0249ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0249ohm |
на замовлення 14440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SSM3J328R,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; SOT23F Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A Power dissipation: 1W Case: SOT23F Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 88.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 3795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SSM3J328R,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; SOT23F Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A Power dissipation: 1W Case: SOT23F Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 88.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 3795 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SSM3J328R,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 4045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SSM3J328R,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J328R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0249 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0249ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 12710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SSM3J328R,LF(T | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F SSM3J328R,LF(B SSM3J328R TSSM3j328r |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |