Продукція > TOSHIBA > SSM3J332R,LF(T
SSM3J332R,LF(T
  • SSM3J332R,LF(T
  • SSM3J332R,LF(T
  • SSM3J332R,LF(T

SSM3J332R,LF(T TOSHIBA


SSM3J332R.pdf Виробник: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; 1W; SOT23F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 144mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2655 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+11.09 грн
55+ 6.38 грн
100+ 5.7 грн
165+ 4.87 грн
445+ 4.67 грн
Мінімальне замовлення: 35
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J332R,LF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM3J332R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-23F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm.

Інші пропозиції SSM3J332R,LF(T за ціною від 3.88 грн до 33.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM3J332R,LF(T
+2
SSM3J332R,LF(T Виробник : TOSHIBA SSM3J332R.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; 1W; SOT23F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 144mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+13.3 грн
35+ 7.95 грн
100+ 6.84 грн
165+ 5.85 грн
445+ 5.6 грн
Мінімальне замовлення: 20
SSM3J332R,LF(T SSM3J332R,LF(T Виробник : TOSHIBA 3622419.pdf Description: TOSHIBA - SSM3J332R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 15092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+8.94 грн
500+ 6.57 грн
1000+ 4.46 грн
5000+ 3.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
SSM3J332R,LF(T SSM3J332R,LF(T Виробник : TOSHIBA 3622419.pdf Description: TOSHIBA - SSM3J332R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 15092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+33.78 грн
32+ 23.5 грн
100+ 8.94 грн
500+ 6.57 грн
1000+ 4.46 грн
5000+ 3.88 грн
Мінімальне замовлення: 22
SSM3J332R,LF(T Виробник : Toshiba ssm3j332r_datasheet_en_20181015.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 11259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1112+10.5 грн
1335+ 8.75 грн
2000+ 8.18 грн
3000+ 6.56 грн
6000+ 6.03 грн
Мінімальне замовлення: 1112
SSM3J332R,LF(T
Код товару: 170575
Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
SSM3J332R,LF(T Виробник : Toshiba ssm3j332r_datasheet_en_20181015.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
товар відсутній