Продукція > TOSHIBA > SSM3J338R,LF(T
SSM3J338R,LF(T

SSM3J338R,LF(T Toshiba

ssm3j338r_datasheet_en_20210916.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 12V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 7514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1091+10.67 грн
1274+ 9.14 грн
1345+ 8.66 грн
2000+ 7.81 грн
3000+ 7.19 грн
6000+ 6.53 грн
Мінімальне замовлення: 1091
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J338R,LF(T Toshiba

Description: TOSHIBA - SSM3J338R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.0139 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-23F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0139ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 8V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm.

Інші пропозиції SSM3J338R,LF(T за ціною від 6.14 грн до 37.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM3J338R,LF(T SSM3J338R,LF(T Виробник : TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3J338R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.0139 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0139ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
на замовлення 23912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+13.93 грн
500+ 10.38 грн
1000+ 6.9 грн
5000+ 6.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
SSM3J338R,LF(T SSM3J338R,LF(T Виробник : TOSHIBA 3622421.pdf Description: TOSHIBA - SSM3J338R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.0139 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
на замовлення 23912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+37.85 грн
27+ 28.61 грн
100+ 13.93 грн
500+ 10.38 грн
1000+ 6.9 грн
5000+ 6.14 грн
Мінімальне замовлення: 20
SSM3J338R,LF(T SSM3J338R,LF(T Виробник : Toshiba ssm3j338r_datasheet_en_20210916.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
товар відсутній