SSM3J340R,LF

SSM3J340R,LF Toshiba Semiconductor and Storage


SSM3J340R_datasheet_en_20190517.pdf?did=36666&prodName=SSM3J340R Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.33 грн
6000+ 4.91 грн
9000+ 4.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J340R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23F, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): +20V, -25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM3J340R,LF за ціною від 3.9 грн до 32.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM3J340R,LF SSM3J340R,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J340R_datasheet_en_20190517.pdf?did=36666&prodName=SSM3J340R Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 10 V
на замовлення 21034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.29 грн
14+ 19.95 грн
100+ 10.07 грн
500+ 7.71 грн
1000+ 5.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
SSM3J340R,LF SSM3J340R,LF Виробник : Toshiba SSM3J340R_datasheet_en_20190517-1661068.pdf MOSFET Sm Low ON Resistance SOT-23F
на замовлення 20327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.29 грн
13+ 23.93 грн
100+ 11.82 грн
1000+ 5.94 грн
3000+ 5.15 грн
9000+ 4.1 грн
24000+ 3.9 грн
Мінімальне замовлення: 10
SSM3J340R,LF Виробник : Toshiba ssm3j340r_datasheet_en_20190517.pdf Silicon P-Channel MOS
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SSM3J340R,LF Виробник : Toshiba ssm3j340r_datasheet_en_20190517.pdf Silicon P-Channel MOS
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000