Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3K131TU,LF
SSM3K131TU,LF

SSM3K131TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K131TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=12385&prodName=SSM3K131TU Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 6A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.6mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.77 грн
6000+ 9.85 грн
9000+ 9.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K131TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 30V 6A UFM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.6mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: UFM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SSM3K131TU,LF за ціною від 9.17 грн до 34.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM3K131TU,LF SSM3K131TU,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K131TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=12385&prodName=SSM3K131TU Description: MOSFET N-CH 30V 6A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.6mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
на замовлення 22724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.62 грн
11+ 26.29 грн
100+ 18.29 грн
500+ 13.4 грн
1000+ 10.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
SSM3K131TU,LF SSM3K131TU,LF Виробник : Toshiba SSM3K131TU_datasheet_en_20140301-1627343.pdf MOSFET Small Signal MOSFET N-ch VDSS=30V, VGSS=+/-20V, ID=6.0A, RDS(ON)=0.0415Ohm a. 4.5V, in UFM package
на замовлення 14095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.56 грн
11+ 29.26 грн
100+ 17.74 грн
500+ 13.82 грн
1000+ 11.23 грн
3000+ 9.5 грн
9000+ 9.17 грн
Мінімальне замовлення: 9