SSM3K347R,LF

SSM3K347R,LF Toshiba Semiconductor and Storage


SSM3K347R_datasheet_en_20160930.pdf?did=37095&prodName=SSM3K347R Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 38V 2A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 38 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.6 грн
6000+ 6.21 грн
9000+ 5.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K347R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 38V 2A SOT23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23F, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 38 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM3K347R,LF за ціною від 4.92 грн до 30.3 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM3K347R,LF SSM3K347R,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K347R_datasheet_en_20160930.pdf?did=37095&prodName=SSM3K347R Description: MOSFET N-CH 38V 2A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 38 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 86 pF @ 10 V
на замовлення 12870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.18 грн
14+ 20.41 грн
100+ 10.3 грн
500+ 8.56 грн
1000+ 6.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
SSM3K347R,LF SSM3K347R,LF Виробник : Toshiba SSM3K347R_datasheet_en_20160930-1289323.pdf MOSFET LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=38V
на замовлення 3813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+30.3 грн
14+ 22.69 грн
100+ 8.83 грн
1000+ 6.91 грн
3000+ 5.98 грн
9000+ 5.31 грн
24000+ 4.92 грн
Мінімальне замовлення: 11
SSM3K347R,LF SSM3K347R,LF Виробник : Toshiba 4170598602908441705550092404ssm3k347r_datasheet_en_20160930.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 38V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SSM3K347R,LF SSM3K347R,LF Виробник : Toshiba 4170598602908441705550092404ssm3k347r_datasheet_en_20160930.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 38V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
товар відсутній
SSM3K347R,LF SSM3K347R,LF Виробник : Toshiba 4170598602908441705550092404ssm3k347r_datasheet_en_20160930.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 38V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
товар відсутній