Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3K37MFV,L3F
SSM3K37MFV,L3F

SSM3K37MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K37MFV_datasheet_en_20140301.pdf?did=1892&prodName=SSM3K37MFV Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8000+2.86 грн
16000+ 2.29 грн
24000+ 2.25 грн
Мінімальне замовлення: 8000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3K37MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 20V 250MA VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: VESM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM3K37MFV,L3F за ціною від 1.88 грн до 19.5 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM3K37MFV,L3F SSM3K37MFV,L3F Виробник : Toshiba 218docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k37mfv.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 33776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1533+7.62 грн
1545+ 7.56 грн
1887+ 6.19 грн
3615+ 3.11 грн
3650+ 2.86 грн
6000+ 2.35 грн
15000+ 2.01 грн
30000+ 1.88 грн
Мінімальне замовлення: 1533
SSM3K37MFV,L3F SSM3K37MFV,L3F Виробник : TOSHIBA SSM3K37MFV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.25A; 0.15W; SOT723
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.25A
On-state resistance: 5.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Case: SOT723
на замовлення 14225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+12.63 грн
95+ 3.7 грн
105+ 3.33 грн
320+ 2.53 грн
880+ 2.39 грн
Мінімальне замовлення: 30
SSM3K37MFV,L3F SSM3K37MFV,L3F Виробник : Toshiba 218docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k37mfv.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
на замовлення 33776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
45+13.05 грн
54+ 10.82 грн
58+ 10.06 грн
100+ 6.82 грн
250+ 6.26 грн
500+ 4.92 грн
1000+ 2.57 грн
3000+ 2.55 грн
6000+ 2.18 грн
Мінімальне замовлення: 45
SSM3K37MFV,L3F SSM3K37MFV,L3F Виробник : TOSHIBA SSM3K37MFV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.25A; 0.15W; SOT723
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.25A
On-state resistance: 5.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Case: SOT723
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 14225 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+15.15 грн
60+ 4.61 грн
100+ 4 грн
320+ 3.04 грн
880+ 2.87 грн
Мінімальне замовлення: 20
SSM3K37MFV,L3F SSM3K37MFV,L3F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K37MFV_datasheet_en_20140301.pdf?did=1892&prodName=SSM3K37MFV Description: MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 10 V
на замовлення 33446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+18.73 грн
23+ 12.14 грн
100+ 5.92 грн
500+ 4.63 грн
1000+ 3.22 грн
2000+ 2.79 грн
Мінімальне замовлення: 16
SSM3K37MFV,L3F SSM3K37MFV,L3F Виробник : Toshiba SSM3K37MFV_datasheet_en_20140301-1916334.pdf MOSFET Small-signal FET 0.25A 20V 12pF
на замовлення 10636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+19.5 грн
23+ 13.56 грн
100+ 7.46 грн
1000+ 3.33 грн
2500+ 2.86 грн
8000+ 2.2 грн
24000+ 2.06 грн
Мінімальне замовлення: 16
SSM3K37MFV,L3F SSM3K37MFV,L3F Виробник : Toshiba 218docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k37mfv.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
товар відсутній
SSM3K37MFV,L3F Виробник : Toshiba 218docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k37mfv.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
товар відсутній