Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6J401TU,LF
SSM6J401TU,LF

SSM6J401TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=10599&prodName=SSM6J401TU Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 15 V
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.05 грн
11+ 25.53 грн
100+ 17.4 грн
500+ 12.25 грн
1000+ 9.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6J401TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A UF6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA, Supplier Device Package: UF6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SSM6J401TU,LF за ціною від 6.64 грн до 33.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM6J401TU,LF SSM6J401TU,LF Виробник : Toshiba SSM6J401TU_datasheet_en_20220704-1627155.pdf MOSFET Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-30V, VGSS=+/-20V, ID=-2.5A, RDS(ON)=0.145Ohm a. 4V, in UF6 package
на замовлення 5937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.87 грн
12+ 25.9 грн
100+ 12.49 грн
1000+ 8.5 грн
3000+ 7.51 грн
9000+ 6.71 грн
24000+ 6.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
SSM6J401TU,LF SSM6J401TU,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10599&prodName=SSM6J401TU Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 15 V
товар відсутній