.jpg "SSM6J502NU,LF(T")
SSM6J502NU,LF(T Toshiba Semiconductor and Storage
на замовлення 5968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6J502NU,LF(T Toshiba Semiconductor and Storage
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; uDFN6, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -6A, Power dissipation: 1W, Case: uDFN6, Gate-source voltage: ±8V, On-state resistance: 60.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 24.8nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SSM6J502NU,LF(T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM6J502NU,LF(T | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A |
на замовлення 5968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
SSM6J502NU,LF(T | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
SSM6J502NU,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 6-Pin UDFN EP T/R |
товар відсутній |
|
 |
SSM6J502NU,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; uDFN6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A Power dissipation: 1W Case: uDFN6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 60.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 24.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
SSM6J502NU,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; uDFN6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A Power dissipation: 1W Case: uDFN6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 60.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 24.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |