на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 33.17 грн |
12+ | 26.66 грн |
100+ | 11.89 грн |
1000+ | 8.9 грн |
3000+ | 7.57 грн |
9000+ | 7.11 грн |
24000+ | 6.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6J502NU,LF Toshiba
Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.1mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM6J502NU,LF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SSM6J502NU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.1mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
SSM6J502NU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.1mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 10 V |
товар відсутній |