.jpg "SSM6J507NU,LF")
SSM6J507NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.96 грн |
| 6000+ | 9.11 грн |
| 9000+ | 8.46 грн |
| 30000+ | 7.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6J507NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): +20V, -25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SSM6J507NU,LF за ціною від 8.7 грн до 32.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6J507NU,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 10A 6-Pin UDFN-B EP T/R |
на замовлення 2722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM6J507NU,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): +20V, -25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V |
на замовлення 41455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM6J507NU,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 10A 6-Pin UDFN-B EP T/R |
на замовлення 2722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM6J507NU,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFET Small Signal MOSFET V=30V, I-10A |
на замовлення 2556 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SSM6J507NU,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFET P-CH 30V 10A UDFNB-6 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
SSM6J507NU,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 10A 6-Pin UDFN-B EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SSM6J507NU,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 10A 6-Pin UDFN-B EP T/R |
товар відсутній |