SSM6K403TU,LF(T TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 0.5W; UF6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: UF6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 0.5W; UF6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: UF6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 21.09 грн |
27+ | 13.15 грн |
80+ | 10.08 грн |
219+ | 9.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6K403TU,LF(T TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 0.5W; UF6, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 4.2A, Power dissipation: 0.5W, Case: UF6, Gate-source voltage: ±10V, On-state resistance: 66mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 16.8nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SSM6K403TU,LF(T за ціною від 11.44 грн до 25.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SSM6K403TU,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 0.5W; UF6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.2A Power dissipation: 0.5W Case: UF6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 66mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 281 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
SSM6K403TU,LF(T | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 6-Pin UF T/R |
товар відсутній |