Продукція > TOSHIBA > SSM6L61NU,LF(T
SSM6L61NU,LF(T

SSM6L61NU,LF(T TOSHIBA

3622448.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6L61NU,LF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 5245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+17.88 грн
500+ 13.08 грн
1000+ 9.82 грн
3000+ 8.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6L61NU,LF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM6L61NU,LF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.025 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1W, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: UDFN, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції SSM6L61NU,LF(T за ціною від 8.76 грн до 30.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM6L61NU,LF(T SSM6L61NU,LF(T Виробник : Toshiba 744928487922585744926428285357ssm6l61nu_datasheet_en_20160414.pdf.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 4A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
491+24.41 грн
493+ 24.31 грн
514+ 23.29 грн
Мінімальне замовлення: 491
SSM6L61NU,LF(T SSM6L61NU,LF(T Виробник : TOSHIBA 3622448.pdf Description: TOSHIBA - SSM6L61NU,LF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 5245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+30.12 грн
31+ 25.55 грн
100+ 17.88 грн
500+ 13.08 грн
1000+ 9.82 грн
3000+ 8.76 грн
Мінімальне замовлення: 26
SSM6L61NU,LF(T SSM6L61NU,LF(T Виробник : Toshiba 744928487922585744926428285357ssm6l61nu_datasheet_en_20160414.pdf.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 4A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній