SSM6N40TU,LF

SSM6N40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage


Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 1.6A UF6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.61 грн
6000+ 7.95 грн
9000+ 7.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6N40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET 2N-CH 30V 1.6A UF6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 500mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA, Supplier Device Package: UF6.

Інші пропозиції SSM6N40TU,LF за ціною від 6.83 грн до 34.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM6N40TU,LF SSM6N40TU,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET 2N-CH 30V 1.6A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
на замовлення 10456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.35 грн
13+ 23.87 грн
100+ 14.3 грн
500+ 12.43 грн
1000+ 8.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
SSM6N40TU,LF SSM6N40TU,LF Виробник : Toshiba SSM6N40TU_datasheet_en_20140301-1627227.pdf MOSFET Small Signal MOSFET N-ch x 2 VDSS=30V, VGSS=+/-20V, ID=1.6A, RDS(ON)=0.182Ohm a. 4V, in UF6 package
на замовлення 3032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+34.46 грн
12+ 26.51 грн
100+ 12.84 грн
1000+ 8.7 грн
3000+ 7.66 грн
9000+ 7.38 грн
24000+ 6.83 грн
Мінімальне замовлення: 10