Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6N7002BFE,LM
SSM6N7002BFE,LM

SSM6N7002BFE,LM Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002BFE_datasheet_en_20140301.pdf?did=2282&prodName=SSM6N7002BFE Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+3.53 грн
8000+ 3.16 грн
12000+ 2.62 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6N7002BFE,LM Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 150mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA, Supplier Device Package: ES6, Part Status: Active.

Інші пропозиції SSM6N7002BFE,LM за ціною від 2.31 грн до 22.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM6N7002BFE,LM SSM6N7002BFE,LM Виробник : Toshiba 205docget.jsptypedatasheetlangenpidssm6n7002bfe.jsptypedatasheetlang.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 6-Pin ES T/R
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+14.85 грн
51+ 11.52 грн
Мінімальне замовлення: 40
SSM6N7002BFE,LM SSM6N7002BFE,LM Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFE_datasheet_en_20140301.pdf?did=2282&prodName=SSM6N7002BFE Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 22146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.43 грн
20+ 13.9 грн
100+ 6.78 грн
500+ 5.3 грн
1000+ 3.69 грн
2000+ 3.19 грн
Мінімальне замовлення: 14
SSM6N7002BFE,LM SSM6N7002BFE,LM Виробник : Toshiba SSM6N7002BFE_datasheet_en_20140301-1132830.pdf MOSFET ES6 S-MOS TRSTR Pd: 0.15W F: 1MHz
на замовлення 127890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+22.96 грн
20+ 15.5 грн
100+ 5.48 грн
1000+ 3.3 грн
4000+ 3.24 грн
8000+ 2.51 грн
24000+ 2.31 грн
Мінімальне замовлення: 14
SSM6N7002BFE,LM Виробник : Toshiba 205docget.jsptypedatasheetlangenpidssm6n7002bfe.jsptypedatasheetlang.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 6-Pin ES T/R
товар відсутній
SSM6N7002BFE,LM SSM6N7002BFE,LM Виробник : Toshiba 205docget.jsptypedatasheetlangenpidssm6n7002bfe.jsptypedatasheetlang.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 6-Pin ES T/R
товар відсутній