SSM6N7002KFU,LF(T TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 285mW; SC88
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 285mW
Case: SC88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 285mW; SC88
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 285mW
Case: SC88
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
80+ | 4.92 грн |
105+ | 3.39 грн |
250+ | 2.99 грн |
305+ | 2.66 грн |
830+ | 2.52 грн |
3000+ | 2.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6N7002KFU,LF(T TOSHIBA
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 285mW; SC88, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 0.3A, Power dissipation: 285mW, Case: SC88, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 1.75Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 0.39nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, кількість в упаковці: 5 шт.
Інші пропозиції SSM6N7002KFU,LF(T за ціною від 3.01 грн до 5.9 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SSM6N7002KFU,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 285mW; SC88 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Power dissipation: 285mW Case: SC88 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.75Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.39nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 4520 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SSM6N7002KFU,LF(T | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.3A Automotive 6-Pin US T/R |
товар відсутній |