Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM6N813R,LF
SSM6N813R,LF

SSM6N813R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N813R_datasheet_en_20210603.pdf?did=60723&prodName=SSM6N813R Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL SIGNAL MOSFET DUAL N-CH VD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM6N813R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: SMALL SIGNAL MOSFET DUAL N-CH VD, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.5W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, Supplier Device Package: 6-TSOP-F, Part Status: Active.

Інші пропозиції SSM6N813R,LF за ціною від 13.91 грн до 39.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM6N813R,LF SSM6N813R,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N813R_datasheet_en_20210603.pdf?did=60723&prodName=SSM6N813R Description: SMALL SIGNAL MOSFET DUAL N-CH VD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 6-TSOP-F
Part Status: Active
на замовлення 8270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.52 грн
10+ 32.66 грн
100+ 24.41 грн
500+ 18 грн
1000+ 13.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
SSM6N813R,LF Виробник : Toshiba SSM6N813R_datasheet_en_20210603-2307031.pdf MOSFET Small Signal MOSFET Dual N-ch VDSS=100V, VGSS=+/-20V, RDS(a.4.5V)=0.154Ohm, ID=3.5A
товар відсутній