Продукція > ONSEMI > SSVMUN5312DW1T2G
SSVMUN5312DW1T2G

SSVMUN5312DW1T2G onsemi


Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2996+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 2996
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSVMUN5312DW1T2G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 187mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363.

Інші пропозиції SSVMUN5312DW1T2G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSVMUN5312DW1T2G Виробник : ON Semiconductor DTC124EP_D-461668.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BRT COMPLEMENTARY
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
SSVMUN5312DW1T2G Виробник : ON Semiconductor nods.pdf TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363
товар відсутній
SSVMUN5312DW1T2G SSVMUN5312DW1T2G Виробник : onsemi Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
товар відсутній