STB11NK50ZT4 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 125W
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.3A
On-state resistance: 0.52Ω
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 102.09 грн |
| 5+ | 85.11 грн |
| 13+ | 65.04 грн |
| 35+ | 61.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB11NK50ZT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB11NK50ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 0.48 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції STB11NK50ZT4 за ціною від 73.9 грн до 211.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB11NK50ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STB11NK50ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; D2PAK Mounting: SMD Case: D2PAK Polarisation: unipolar Power dissipation: 125W Features of semiconductor devices: ESD protected gate Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 500V Drain current: 6.3A On-state resistance: 0.52Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 413 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STB11NK50ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STB11NK50ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V |
на замовлення 872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STB11NK50ZT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB11NK50ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 0.48 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STB11NK50ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| STB11NK50ZT4 | Виробник : STMicroelectronics NV |
MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK |
на замовлення 970 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
STB11NK50ZT4 Код товару: 188607 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
STB11NK50ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STB11NK50ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
STB11NK50ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STB11NK50ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STB11NK50ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STB11NK50ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V |
товар відсутній |