STB17N80K5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 866 pF @ 100 V
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 299.7 грн |
| 10+ | 242.15 грн |
| 100+ | 195.87 грн |
| 500+ | 163.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB17N80K5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 14A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 866 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STB17N80K5 за ціною від 141.53 грн до 320.9 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB17N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ 14 A MDmesh K5 Power MOSFET |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STB17N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STB17N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
STB17N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 14A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 866 pF @ 100 V |
товар відсутній |