на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 327.09 грн |
| 10+ | 270.34 грн |
| 25+ | 222.42 грн |
| 100+ | 190.46 грн |
| 250+ | 179.8 грн |
| 500+ | 169.15 грн |
| 1000+ | 145.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB18NM80 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB18NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції STB18NM80 за ціною від 155.6 грн до 382.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB18NM80 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STB18NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1067 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STB18NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
STB18NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
STB18NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
| STB18NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||
 |
STB18NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
STB18NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V |
товар відсутній |