STB32NM50N STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB32NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 190W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 1971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 210.19 грн |
| 500+ | 168.4 грн |
| 1000+ | 139.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB32NM50N STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB32NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 190W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2019).
Інші пропозиції STB32NM50N за ціною від 130.52 грн до 348.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB32NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STB32NM50N | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB32NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 190W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh II productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) |
на замовлення 1971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STB32NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
STB32NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STB32NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STB32NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| STB32NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; Idm: 88A; 190W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 22A Pulsed drain current: 88A Power dissipation: 190W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Gate charge: 62.5nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
STB32NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N CH 500V 22A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1973 pF @ 50 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STB32NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N CH 500V 22A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1973 pF @ 50 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STB32NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; Idm: 88A; 190W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 22A Pulsed drain current: 88A Power dissipation: 190W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Gate charge: 62.5nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |