STB40NF10LT4 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 150W; D2PAK
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 150W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 36mΩ
Drain current: 25A
Drain-source voltage: 100V
Case: D2PAK
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 83.99 грн |
| 6+ | 68.33 грн |
| 18+ | 46.24 грн |
| 48+ | 44.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB40NF10LT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB40NF10LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції STB40NF10LT4 за ціною від 53.01 грн до 240.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STB40NF10LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 150W; D2PAK Mounting: SMD Features of semiconductor devices: ESD protected gate Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±15V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Power dissipation: 150W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 36mΩ Drain current: 25A Drain-source voltage: 100V Case: D2PAK кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1467 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STB40NF10LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STB40NF10LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V |
на замовлення 969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STB40NF10LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 100 Volt 40 Amp |
на замовлення 2492 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STB40NF10LT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB40NF10LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STB40NF10LT4 Код товару: 172505 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
STB40NF10LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STB40NF10LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
STB40NF10LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STB40NF10LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V |
товар відсутній |