STB47N60DM6AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 431.5 грн |
| 10+ | 356.14 грн |
| 100+ | 296.76 грн |
| 500+ | 245.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB47N60DM6AG STMicroelectronics
Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STB47N60DM6AG за ціною від 227.08 грн до 469.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB47N60DM6AG | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET |
на замовлення 602 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STB47N60DM6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 36A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
STB47N60DM6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 36A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STB47N60DM6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 36A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
STB47N60DM6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |