Продукція > STMICROELECTRONICS > STB6N80K5
STB6N80K5

STB6N80K5 STMicroelectronics

725201003193875dm00085379.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+60.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB6N80K5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): 30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STB6N80K5 за ціною від 55.8 грн до 144.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STB6N80K5 STB6N80K5 Виробник : STMicroelectronics stb6n80k5-1850256.pdf MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+144.92 грн
10+ 118.4 грн
100+ 82.37 грн
250+ 75.73 грн
500+ 69.08 грн
1000+ 57.79 грн
2000+ 55.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB6N80K5 Виробник : STMicroelectronics 725201003193875dm00085379.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB6N80K5 STB6N80K5 Виробник : STMicroelectronics stb6n80k5.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB6N80K5 STB6N80K5 Виробник : STMicroelectronics stb6n80k5.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STB6N80K5 STB6N80K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00085379.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 100 V
товар відсутній
STB6N80K5 STB6N80K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00085379.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 100 V
товар відсутній