STD10P6F6 STMicroelectronics
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 23.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD10P6F6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD10P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DeepGATE STripFET VI, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm.
Інші пропозиції STD10P6F6 за ціною від 23.44 грн до 69.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD10P6F6 | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET P CH 60V 10A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD10P6F6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD10P6F6 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD10P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DeepGATE STripFET VI productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm |
на замовлення 43092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD10P6F6 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.2A; 35W; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Kind of package: reel; tape Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: -60V Drain current: -7.2A On-state resistance: 0.16Ω Type of transistor: P-MOSFET |
на замовлення 1426 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD10P6F6 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.2A; 35W; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Kind of package: reel; tape Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: -60V Drain current: -7.2A On-state resistance: 0.16Ω Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1426 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD10P6F6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD10P6F6 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD10P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DeepGATE STripFET VI productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm |
на замовлення 43092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD10P6F6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P CH 60V 10A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V |
на замовлення 5015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD10P6F6 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGat |
на замовлення 16008 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STD10P6F6 Код товару: 171157 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
| STD10P6F6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |