STD13N65M2 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD13N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
на замовлення 1531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 56.04 грн |
| 500+ | 47.61 грн |
| 1000+ | 39.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD13N65M2 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD13N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm.
Інші пропозиції STD13N65M2 за ціною від 39.6 грн до 118.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD13N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD13N65M2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD13N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm |
на замовлення 1531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD13N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 10A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V |
на замовлення 1765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD13N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package |
на замовлення 4019 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD13N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
STD13N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STD13N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STD13N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
STD13N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STD13N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 10A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V |
товар відсутній |