STD14NM50NAG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 128.22 грн |
| 10+ | 102.94 грн |
| 100+ | 81.92 грн |
| 500+ | 65.06 грн |
| 1000+ | 55.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD14NM50NAG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD14NM50NAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.285 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh II Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції STD14NM50NAG за ціною від 52.28 грн до 315.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD14NM50NAG | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET Automotive-grade N-channel 500 V, 0.28 Ohm typ 12 A MDmesh II Power MOSFET |
на замовлення 4295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
STD14NM50NAG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD14NM50NAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.285 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh II Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
STD14NM50NAG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 12A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
STD14NM50NAG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD14NM50NAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.285 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh II Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| STD14NM50NAG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
|
|
STD14NM50NAG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 12A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
STD14NM50NAG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 12A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
 |
STD14NM50NAG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
STD14NM50NAG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 12A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 90W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |