Продукція > STMICROELECTRONICS > STD16N60M2
STD16N60M2

STD16N60M2 STMicroelectronics

en.DM00148347.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+58.76 грн
5000+ 54.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD16N60M2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 12A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STD16N60M2 за ціною від 52.27 грн до 130.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STD16N60M2 STD16N60M2 Виробник : STMicroelectronics std16n60m2-1850492.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 9605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.05 грн
10+ 98.27 грн
100+ 72.1 грн
250+ 70.77 грн
500+ 63.36 грн
1000+ 53.34 грн
2500+ 52.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD16N60M2 STD16N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00148347.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.71 грн
10+ 104.24 грн
100+ 82.96 грн
500+ 65.88 грн
1000+ 55.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD16N60M2 STD16N60M2 Виробник : STMicroelectronics std16n60m2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
STD16N60M2 Виробник : STMicroelectronics std16n60m2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній