STD18N60M6 STMicroelectronics
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 148.77 грн |
| 10+ | 123.61 грн |
| 100+ | 92.13 грн |
| 250+ | 77.44 грн |
| 500+ | 66.43 грн |
| 1000+ | 62.09 грн |
| 2500+ | 61.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD18N60M6 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 13A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STD18N60M6 за ціною від 64.8 грн до 179.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD18N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Pulsed drain current: 38A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: SMD Gate charge: 16.8nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2472 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STD18N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 13A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V |
на замовлення 1637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STD18N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 38A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Pulsed drain current: 38A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: SMD Gate charge: 16.8nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2472 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| STD18N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||
| STD18N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||
|
|
STD18N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 13A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V |
товар відсутній |