STD2HNK60Z STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 36.48 грн |
| 5000+ | 33.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD2HNK60Z STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STD2HNK60Z за ціною від 30.85 грн до 88.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD2HNK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD2HNK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD2HNK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N Ch 600V Zener SuprMESH 4.4 A |
на замовлення 7010 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD2HNK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V |
на замовлення 13880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STD2HNK60Z | Виробник : STM |
MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; 600 В |
на замовлення 5 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
STD2HNK60Z Код товару: 61746 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
| STD2HNK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
STD2HNK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
STD2HNK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
STD2HNK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; 45W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STD2HNK60Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; 45W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |