STD2N62K3 STMicroelectronics
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 30.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD2N62K3 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 620V 2.2A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 50 V.
Інші пропозиції STD2N62K3 за ціною від 20.06 грн до 107.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD2N62K3 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 620V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD2N62K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 620V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD2N62K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 620V 2.2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 50 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD2N62K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 620V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD2N62K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 620V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD2N62K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 620V 2.2A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 50 V |
на замовлення 4342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD2N62K3 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3 |
на замовлення 1670 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STD2N62K3 | Виробник : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 620V; 30V; 3,6Ohm; 2,2A; 45W; -55°C ~ 150°C; STD2N62K3 TSTD2N62K3 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
STD2N62K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 620V 2.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
STD2N62K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 1A; 45W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 620V Drain current: 1A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STD2N62K3 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 1A; 45W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 620V Drain current: 1A Power dissipation: 45W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |