STD2NK100Z STMicroelectronics
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 62.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD2NK100Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD2NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.85 A, 6.25 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.25ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції STD2NK100Z за ціною від 68.69 грн до 696.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD2NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 1000V 1.85A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 499 pF @ 25 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD2NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.85A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 499 pF @ 25 V |
на замовлення 3217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD2NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Channel 1000V Zener SuperMESH |
на замовлення 1880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD2NK100Z | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD2NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.85 A, 6.25 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.25ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 5188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD2NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
STD2NK100Z STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 1KV 1.85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD2NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
STD2NK100Z STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 1KV 1.85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD2NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1.16A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 1.16A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 8.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STD2NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
STD2NK100Z STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 1KV 1.85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STD2NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
STD2NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1.16A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 1.16A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 8.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |