STD30N6LF6AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 68.61 грн |
| 10+ | 53.97 грн |
| 100+ | 41.96 грн |
| 500+ | 33.37 грн |
| 1000+ | 27.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD30N6LF6AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD30N6LF6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm.
Інші пропозиції STD30N6LF6AG за ціною від 25.1 грн до 81.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD30N6LF6AG | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 19 mOhm typ 24 A STripFET F6 Power MOSFET |
на замовлення 3940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD30N6LF6AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD30N6LF6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 24 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET F6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm |
на замовлення 1448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STD30N6LF6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
STD30N6LF6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STD30N6LF6AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |