STD3NK100Z STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 71.29 грн |
| 5000+ | 66.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD3NK100Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 2.5 A, 5.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 90W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 5.4ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.4ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції STD3NK100Z за ціною від 64.22 грн до 201.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STD3NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.25A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 25 V |
на замовлення 8594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD3NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET Hi Vltg NPN Zener SuperMESH |
на замовлення 7424 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD3NK100Z | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 2.5 A, 5.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 90W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 5.4ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.4ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 4592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD3NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 2.5A; 90W; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2.5A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 90W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
STD3NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STD3NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STD3NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
STD3NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STD3NK100Z | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 2.5A; 90W; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2.5A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 90W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V |
товар відсутній |