STD3NK80Z-1
Код товару: 114732
Виробник: STUds,V: 800 V
Idd,A: 2,5 A
Rds(on), Ohm: 4,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 485/19
Монтаж: THT
у наявності 192 шт:
147 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
13 шт - РАДІОМАГ-Харків
12 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 18 грн |
10+ | 16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції STD3NK80Z-1 за ціною від 21.02 грн до 138.57 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STD3NK80Z-1 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STD3NK80Z-1 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STD3NK80Z-1 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STD3NK80Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.25A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STD3NK80Z-1 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD3NK80Z-1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.25 A, 3.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STD3NK80Z-1 | Виробник : STMicroelectronics | MOSFET N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A |
на замовлення 592 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STD3NK80Z-1 | Виробник : ST |
N-MOSFET 800V 2.5A 4.5Ω 70W STD3NK80Z-1 STMicroelectronics TSTD3NK80z1 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 141 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
STD3NK80Z-1 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STD3NK80Z-1 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STD3NK80Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; I2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.57A Power dissipation: 70W Case: I2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
STD3NK80Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; I2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.57A Power dissipation: 70W Case: I2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |
З цим товаром купують
L78L05ABUTR Код товару: 24972 |
Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: SOT-89
Uin, V: 30 V
Uout,V: 5 V
Iout,A: 0,1 A
Udrop, V: 1,7 V
Тип виходу: Фіксований
Темп.діапазон: -40...125°C
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: SOT-89
Uin, V: 30 V
Uout,V: 5 V
Iout,A: 0,1 A
Udrop, V: 1,7 V
Тип виходу: Фіксований
Темп.діапазон: -40...125°C
у наявності: 3045 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 6 грн |
10+ | 5.4 грн |
100+ | 4.8 грн |
MMBT3904 Код товару: 176831 |
Виробник: JINGDAO
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,2 A
h21: 300
Монтаж: SMD
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,2 A
h21: 300
Монтаж: SMD
у наявності: 324 шт
очікується:
3000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 1.5 грн |
10+ | 1 грн |
100+ | 0.8 грн |
270pF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B271K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 3554 |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 270 pF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 270 pF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 4350 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 0.7 грн |
100+ | 0.5 грн |
1000+ | 0.4 грн |
33uF 25V EMR 5x7mm (Super miniature size) (EMR330M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 4333 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 33 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EMR
Тип: супермініатюрні, 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 5х7mm
Строк життя: 1000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 33 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EMR
Тип: супермініатюрні, 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 5х7mm
Строк життя: 1000 годин
у наявності: 10314 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 1.5 грн |
10+ | 1.1 грн |
100+ | 0.8 грн |
Диністор DB3 Код товару: 22619 |
у наявності: 8821 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 2 грн |
10+ | 1 грн |
100+ | 0.9 грн |