STD4NK60Z-1 STMicroelectronics
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 41.6 грн |
| 15+ | 39.27 грн |
| 100+ | 38.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD4NK60Z-1 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 4A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: IPAK, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STD4NK60Z-1 за ціною від 18.78 грн до 63.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STD4NK60Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD4NK60Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 70W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 70W Case: IPAK On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD4NK60Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 4A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD4NK60Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 70W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 70W Case: IPAK On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 94 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD4NK60Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch, 600V-1.76ohms Zener SuperMESH 4A |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD4NK60Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STD4NK60Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STD4NK60Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STD4NK60Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |