STD7N80K5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 61.55 грн |
| 5000+ | 57.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD7N80K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD7N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm.
Інші пропозиції STD7N80K5 за ціною від 56.48 грн до 146.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD7N80K5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD7N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm |
на замовлення 8629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
STD7N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STD7N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 6A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 100 V |
на замовлення 6986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STD7N80K5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD7N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm |
на замовлення 8629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
STD7N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 800V 0.95 Ohm 6A MDmesh K5 |
на замовлення 558 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
STD7N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
STD7N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
| STD7N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
|
|
STD7N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
STD7N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.8A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
STD7N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.8A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |