STF9N60M2 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF9N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 0.72 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 79.39 грн |
| 50+ | 70.55 грн |
| 100+ | 61.71 грн |
| 500+ | 47.78 грн |
| 1000+ | 32.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STF9N60M2 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STF9N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 0.72 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh II Plus, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm, SVHC: No SVHC (16-Jan-2020).
Інші пропозиції STF9N60M2 за ціною від 34.72 грн до 102.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STF9N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 100 V |
на замовлення 1988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STF9N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2 |
на замовлення 2971 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STF9N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
|
на замовлення 70 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
STF9N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STF9N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
STF9N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5.5A Pulsed drain current: 22A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 720mΩ Mounting: THT Gate charge: 10nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STF9N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5.5A Pulsed drain current: 22A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 720mΩ Mounting: THT Gate charge: 10nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |