STFU24N60M2

STFU24N60M2 STMicroelectronics


stfu24n60m2-1850690.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra nar
на замовлення 768 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+180.57 грн
10+ 143.61 грн
100+ 101.63 грн
250+ 94.32 грн
500+ 85.69 грн
1000+ 73.07 грн
2000+ 69.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STFU24N60M2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220FP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STFU24N60M2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STFU24N60M2 STFU24N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00168868.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V
товар відсутній