STGB18N40LZT4 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: IGBT 420V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs
Test Condition: 300V, 10A, 5V
Gate Charge: 29 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 150 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 74.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STGB18N40LZT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STGB18N40LZT4 - IGBT, 30 A, 1.35 V, 150 W, 390 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 390V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції STGB18N40LZT4 за ціною від 66.09 грн до 218.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STGB18N40LZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IGBT 420V 30A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 650ns/13.5µs Test Condition: 300V, 10A, 5V Gate Charge: 29 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 420 V Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A Power - Max: 150 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGB18N40LZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
IGBT Transistors EAS 180 mJ-400 V |
на замовлення 1984 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGB18N40LZT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STGB18N40LZT4 - IGBT, 30 A, 1.35 V, 150 W, 390 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 390V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STGB18N40LZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 360V 30A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
STGB18N40LZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 360V 30A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STGB18N40LZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 360V 30A 150W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STGB18N40LZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans IGBT Chip N-CH 360V 30A 150mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| STGB18N40LZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 390V; 30A; 150W; D2PAK; automotive industry Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 390V Collector current: 30A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Pulsed collector current: 40A Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate; internally clamped Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| STGB18N40LZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 390V; 30A; 150W; D2PAK; automotive industry Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 390V Collector current: 30A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Pulsed collector current: 40A Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate; internally clamped Application: automotive industry |
товар відсутній |