STGF30M65DF2

STGF30M65DF2 STMicroelectronics


2688666956056133dm0015.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 38000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STGF30M65DF2 STMicroelectronics

Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO220FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 140 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-220FP, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns, Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 80 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 38 W.

Інші пропозиції STGF30M65DF2 за ціною від 65.13 грн до 184.5 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STGF30M65DF2 STGF30M65DF2 Виробник : STMicroelectronics 2688666956056133dm0015.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 38W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+145.92 грн
10+ 123.59 грн
25+ 123.22 грн
50+ 118.16 грн
100+ 91.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
STGF30M65DF2 STGF30M65DF2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00157912.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-220FP
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31.6ns/115ns
Switching Energy: 300µJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 38 W
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+156.47 грн
50+ 120.91 грн
100+ 99.49 грн
500+ 79 грн
Мінімальне замовлення: 2
STGF30M65DF2 STGF30M65DF2 Виробник : STMicroelectronics 2688666956056133dm0015.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 38W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
75+156.82 грн
89+ 126.98 грн
107+ 97.84 грн
Мінімальне замовлення: 75
STGF30M65DF2 STGF30M65DF2 Виробник : STMicroelectronics stgf30m65df2-1850756.pdf IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+169.53 грн
10+ 135.21 грн
100+ 96.43 грн
250+ 95.77 грн
500+ 81.9 грн
1000+ 68.69 грн
2000+ 65.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
STGF30M65DF2 STGF30M65DF2 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0003061563-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STGF30M65DF2 - IGBT, 60 A, 1.55 V, 38 W, 650 V, TO-220FP, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 650V M
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+184.5 грн
10+ 131.89 грн
100+ 105.22 грн
500+ 85.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
STGF30M65DF2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00157912.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 38W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.59 грн
10+ 87.38 грн
26+ 82.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
STGF30M65DF2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00157912.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 38W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+166.27 грн
3+ 144.04 грн
10+ 104.86 грн
26+ 99.08 грн
2000+ 95.77 грн
6000+ 94.95 грн
Мінімальне замовлення: 2