STI20N65M5 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STI20N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.19 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 138.6 грн |
| 10+ | 107.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STI20N65M5 STMICROELECTRONICS
Description: MOSFET N-CH 650V 18A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1434 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STI20N65M5 за ціною від 87.02 грн до 192.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STI20N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5 |
на замовлення 982 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STI20N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 18A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1434 pF @ 100 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STI20N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
|
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
STI20N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| STI20N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube |
товар відсутній |