STI24N60M6

STI24N60M6 STMicroelectronics


sti24n60m6-1851004.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 162 mOhm typ 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in an I2PAK package
на замовлення 359 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+200.72 грн
10+ 166.53 грн
25+ 136.84 грн
100+ 116.91 грн
250+ 110.27 грн
500+ 103.62 грн
1000+ 89.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STI24N60M6 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STI24N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 0.19 ohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції STI24N60M6 за ціною від 170.64 грн до 228.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STI24N60M6 STI24N60M6 Виробник : STMICROELECTRONICS 2721733.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STI24N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 0.19 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+228.02 грн
10+ 170.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
STI24N60M6 STI24N60M6 Виробник : STMicroelectronics sti24n60m6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V
товар відсутній