STI45N10F7 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 45A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 50 V
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 151.61 грн |
| 10+ | 121.71 грн |
| 100+ | 96.89 грн |
| 500+ | 76.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STI45N10F7 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 45A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 22.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 50 V.
Інші пропозиції STI45N10F7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STI45N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 100 V 0013 Ohm 45 A Pwr MOSFET |
на замовлення 1280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
STI45N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 45A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube |
товар відсутній |