STL135N8F7AG

STL135N8F7AG STMicroelectronics


en.DM00224699.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 80V 130A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+102.45 грн
6000+ 94.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STL135N8F7AG STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 80V 130A POWERFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 135W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції STL135N8F7AG за ціною від 94.32 грн до 225.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STL135N8F7AG STL135N8F7AG Виробник : STMicroelectronics en.DM00224699.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 130A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+210.53 грн
10+ 170.22 грн
100+ 137.66 грн
500+ 114.84 грн
1000+ 98.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
STL135N8F7AG STL135N8F7AG Виробник : STMicroelectronics stl135n8f7ag-1851127.pdf MOSFET Automotive-grade N-channel 80 V, 3.15 mOhm typ 130 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 4874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+225.52 грн
10+ 187.15 грн
100+ 131.52 грн
500+ 116.91 грн
1000+ 100.3 грн
3000+ 94.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
STL135N8F7AG STL135N8F7AG Виробник : STMicroelectronics 309001495064606dm002.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 8-Pin Power Flat EP T/R
товар відсутній
STL135N8F7AG Виробник : STMicroelectronics stl135n8f7ag.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 98A; Idm: 480A; 135W
Mounting: SMD
Case: PowerFLAT 5x6
Power dissipation: 135W
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 480A
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 98A
On-state resistance: 3.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
STL135N8F7AG Виробник : STMicroelectronics stl135n8f7ag.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 98A; Idm: 480A; 135W
Mounting: SMD
Case: PowerFLAT 5x6
Power dissipation: 135W
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 480A
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 98A
On-state resistance: 3.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній